NPN和PNP晶体管之间的差异

晶体管PNP和NPN是BJT，它是一种基本的电气部件，用于各种各样的电气和电子电路建立项目。PNP和NPN晶体管的操作主要利用孔和电子。这些晶体管可用作放大器，开关和振荡器。在PNP晶体管中，大部分电荷载体是孔，其中大多数电荷载体是电子的NPN。除了，FET只有一种充电载体。NPN和PNP晶体管之间的主要差异是，当电流流过晶体管的基站时，NPN晶体管获得功率。在NPN晶体管中，电流的流量从集电极端子运行到发射极端子。当晶体管的基端没有电流流动时，PNP晶体管开启。在PNP晶体管中，电流的流量从发射极端电流运行到收集器端子。结果，PNP晶体管通过低信号开启，其中NPN晶体管通过高信号开启。

NPN和PNP晶体管之间的差异

NPN和PNP晶体管之间的主要区别包括PNP和NPN晶体管，结构，工作及其应用。

什么是PNP晶体管？

术语“PNP”代表正，负，阳性，也称为采购。PNP晶体管是BJT;在该晶体管中，字母'P'指定发射极终端所需的电压的极性。第二个字母'n'指定基站终端的极性。在这种晶体管中，大部分电荷载体是孔。主要是，该晶体管与NPN晶体管相同。

用于构建该晶体管中的发射极（e），基（B）和收集器（C）终端的所需材料是从NPN晶体管中使用的那些不同的材料。该晶体管的BC端子恒定地反向偏置，然后应将电压用于收集器端子。因此，必须相对于发射端子终端的PNP晶体管的基极端子，并且收集器终端必须比基座端子 - 挡住

建造

这PNP晶体管结构如下所示。除了可实现的3配置中的任何一个，晶体管的主要特征是相似的，除了将电流和电压方向的偏置反转，即可实现的3配置即公共基础，公共发射器和公共集电器。

VBE（基极和发射极端子）之间的电压为-VES在发射极端子的基座端子和+ VE处。由于对于该晶体管，基座端子相对于发射极端终端恒定地偏置。而且，VBE相对于收集器VCE是正面的。

连接到该晶体管的电压源如上图所示。发射器端子与负载电阻'RL'连接到“VCC”。该电阻器停止电流流过设备，该装置与收集器端子相结合。

基准电压'Vb'连接到“RB”基电阻器，其相对于发射极终端偏置负极。为了通过PNP晶体管循环流动，晶体管的基端应比基极端子更负，大约0.7Volts（或）A-Si器件。

这PNP和NPN晶体管之间的主要差异是晶体管接头的正确偏置。电流的方向和电压极性彼此恒定地相反。

什么是NPN晶体管?

术语“NPN”代表负数，积极，消极，也称为下沉。NPN晶体管是BJT在该晶体管中，初始字母'n'规定了材料的带负电荷的涂层。其中'p'指定完全充电的层。两个晶体管具有正极层，其位于两个负层的中间。通常，NPN晶体管用于各种电路，用于切换并增强超过通过它们的信号。

NPN晶体管包括三个端子，如底座，发射极和集电极。这三个终端可用于将晶体管连接到电路板。当电流流过该晶体管时，晶体管的基极端端端将获得电信号。收集器终端创造了一个强电流强劲并且，发射极端子超过电路上的更强电流。在PNP晶体管中，电流通过收集器运行到发射极端子。

通常，使用NPN晶体管，因为它是如此简单地产生。对于NPN晶体管正常运行，需要从半导体对象创建，该半导体对象保持一些电流。但不是最大金属，如金属等极其导电材料。硅是半导体中最常使用的。这些晶体管是简单的晶体管，用于构建硅。

NPN晶体管用于计算机电路板上以将信息转换为二进制代码，并且该过程精通穿过电路板上翻转的多孔的微小开关。强大的电动信号扭转开关，虽然缺乏信号使得关闭。

建造

这NPN晶体管的构造如下所示。晶体管基座处的电压是+ ve并在晶体管的发射极端子处。晶体管的基极端子在相对于发射器的所有时间始终是正的，并且收集电压电源是相对于晶体管的发射极端子+ VE。在该晶体管中，收集器端子通过R1连接到VCC

这个电阻限制通过最高基电流的电流。在NPN晶体管中，流过基极的电子代表晶体管的作用。这种晶体管动作的主要特点是i/p和o/p电路之间的连接。因为晶体管的放大特性来自于基极利用对集电极到发射极电流的合成控制。

NPN晶体管是电流激活的装置。当晶体管接通时，巨大的电流IC在晶体管中的收集器和发射极端子之间提供。但是，只有当一个微小的偏置电流'IB'流过晶体管的基站时，才会发生。它是双极晶体管;电流是两个电流（IC / IB）的关系，命名为设备的直流电流增益。

它由“HFE”或这些天测试标明。对于典型的晶体管，Beta值最多可以巨大200。当NPN晶体管用于有源区时，基准电流'IB'提供I / P和集电极电流'IC'给出O / P。从C到EIS的NPN晶体管的当前增益称为α（IC / IE），并且它是晶体管本身的目的。由于IE（发射极限）是微小基电流和巨大的集电极电流的总和。Alpha的价值非常接近Unity，并且对于典型的低功率信号晶体管，值范围为约0.950- 0.999。

晶体管符号

这NPN和PNP晶体管的原理图符号s非常相似。主要区别是发射器终端上箭头的路径。在NPN晶体管中，箭头符号向外点，而在PNP晶体管中，箭头符号向内点。

PNP晶体管符号示于上述图中，其中箭头标记表明电流的流动将来自发射器终端到收集器，而在NPN晶体管中，电流的流量将从收集器到发射器终端。

哪个更好的npn或pnp？

像NPN和PNP这样的晶体管都是BJT。这些是电流控制设备，尤其用于放大和切换目的。通常，NPN晶体管主要用于电路中，如在NPN晶体管中，电流导通由于电子引起的，而在PNP中，电流导通是由于孔。当电子更加可移动时，NPN晶体管的导通高。

术语NPN和PNP将通过结晶体管状基座，发射器和集电极的三个端子显示电压需求。这两个晶体管设计有不同的材料，因为它们中的电流发育也会发生变化。在某些情况下，一旦在发射器上给出电压，则电子将流过底座，并且最终将收集器终端流过。这发生由于这些晶体管的基极端子是非常薄的和轻微的掺杂。

与PNP相比，NPN晶体管更优选，因为我们知道在PNP中，孔是大多数电荷载体，而在NPN中，电子是多个电荷载体。因此，与电子移动性相比，孔的移动性未被加速。在不同的应用中，不同类型的晶体管用作PNP＆NPN。因此，与电子相比，孔的迁移性并不快，因此NPN晶体管更优选。

NPN和PNP晶体管之间的差异

这两个晶体管之间的主要差异之一是，在NPN晶体管中，一旦正电源提供给晶体管的基极端子，电流就会在集电器到发射极端子之间。在PNP晶体管中，一旦向基座端子提供负电源，将从发射器终端供应到收集器。基于不同因素，不同的NPN和PNP晶体管之间的差异。

NPN和PNP晶体管之间的差异包括以下内容。

NPN晶体管	PNP晶体管
在NPN晶体管中，P层分离两个n型层	在PNP晶体管中，n层分离两个p型层
NPN代表负面正负	PNP代表正负和积极
NPN晶体管中的电流流量来自收集器端子到发射器	PNP晶体管中的电流流量来自发射器终端到收集器
当电子像电子等多个电荷载体进入基座端子时，该晶体管将激活	当大多数电荷载体像孔一样进入基座端子时，该晶体管将激活
由于电子的位置变化，该晶体管的内部电流将产生。	由于孔的位置变化，该晶体管的内部电流将产生。
在该晶体管中，外部电流由于孔的流动而产生	在该晶体管中，外部电流由于电子的流动而产生
NPN晶体管中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。	PNP晶体管中的大多数电荷载波是孔，而少数竞争载流子是电子。
地面信号很低	地面信号很高
来自发射器终端的小电流供应到基座	从基站到发射器的小电流供应
在该晶体管中，收集器基部结是反向偏置的	在该晶体管中，收集器基部结是反向偏置的
在该晶体管中，发射极基结是正向偏置的	在该晶体管中，发射极基结是正向偏置的
在该晶体管中，集电极端子是正电压端子	在该晶体管中，发射极端子是正电压端子
该晶体管的切换时间更快	该晶体管的切换时间较低
一旦电流流量在基座端子内减小，则该晶体管在收集器的端子上不起作用并关闭	一旦电流流存在于基座端子处，则该晶体管将关闭。

钥匙NPN和PNP晶体管之间的差异

PNP和NPN晶体管是三端装置，由掺杂材料组成，经常用于开关和放大应用。有一种组合PN结二极管在每一个双极结晶体管。当连接几个二极管时，它会塑造三明治。这是类似两种类型中间的一种半导体。

因此，只有两种双极三明治，即PNP＆NPN。在半导体器件中，NPN晶体管通常具有高电子迁移率，评估了孔的迁移率。因此，它允许大量的电流和工作非常快。而且，该晶体管的结构简单来自硅。

• 两种晶体管都收集特殊材料，并且这些晶体管中的电流流也不同。
• 在NPN晶体管中，流动电流从集电极端子运行到发射极端子，而在PNP中，电流的流量从发射极终端运行到集电极端子。
• PNP晶体管由两个p型材料层组成，其中层夹在N型中。NPN晶体管由两个n型材料层组成，其中层夹在p型上。
• 在NPN晶体管中，将A + VE电压设定为集电终端，以产生来自收集器的电流流。对于PNP晶体管，A + VE电压被设置为发射极端子，以产生从发射极端子到收集器的电流流。
• NPN晶体管的主工作原理是当电流增加到基座端子时，晶体管接通，并且它从收集器终端完全执行到发射极端子。
• 减少到基座的电流时，晶体管开启，电流流量如此之低。晶体管不再将集电极端子跨到发射极端子并关闭。
• PNP晶体管的主要工作原理是当电流存在于PNP晶体管的基座时，然后晶体管关闭。当晶体管底部没有电流流动时，晶体管接通。

PNP和NPN晶体管的特性

PNP和NPN晶体管的O / P特性是相似的。主要不同之处在于PNP晶体管特性曲线旋转180度以衡量反极性的电压以及电流的值。在特征曲线上，动态负载线将存在测量Q点的值。类似于NPN，PNP晶体管也用于放大以及开关电路。

如何识别PNP和NPN晶体管

识别PNP和NPN晶体管有不同的步骤。

对于NPN晶体管

• 在万用表中，选择仪表模式到二极管。
• 将仪表的正探头放到晶体管的基座端子
• 将负探头放置到销的发射极端子，以便在仪表内可以注意到电压
• 以相同的方式，将负探针相对于引脚2放置在集电极端子处，然后可以观察万用表内的电压。
• 因此，这称为NPN晶体管
• 发射极端子是n型材料，其等于二极管的阴极端子
• 基站是p型材料，其等于二极管的阳极端子
• 收集器端子是N型材料，其等于二极管的阴极端子。
• 如果万用表的正和负探针连接到阳极和阴极端子，则它将显示电压。如果将这些连接交换，则不会显示任何值。

对于PNP晶体管

• 在万用表中，选择仪表模式到二极管。
• 将正探头放在晶体管的发射极端子处。
• 将负探头放在基座端子上，然后您可以注意到万用表内的一些电压。
• 以相同的方式，将负探针相对于收集器端子放置在基座上，然后您可以观察万用表内的一些电压。
• 因此，它将确保它是PNP晶体管，并且其背后的主要逻辑主要包括以下内容。
• 发射极端子是p型材料，其等于二极管的阳极端子
• 基站是N型材料，其等于二极管的阴极端子
• 收集器端子是p型材料，其等于二极管的阳极端子

如果该万用表的正探针可以朝向阳极端子连接，而负探针可以朝向阴极端子连接，之后它将显示一些电压。如果交换两个连接，那么它将不会显示任何值。

这是关于主要区别的NPN和PNP晶体管用于设计电气和电子电路和各种应用。此外，有关这一概念或对此概念的任何疑问了解更多有关不同类型的晶体管配置，您可以通过评论下面的评论部分来提供您的建议。这是一个问题，哪个晶体管具有更高的电子迁移率？