p型半导体和n型半导体之间的差异
我们知道p型和n型半导体来自外在的半导体。可以基于掺杂,如纯度的纯度一样,半导体的分类可以根据纯度和外在。存在许多因素产生这两个半导体之间的主要区别。通过加入III组元素,可以进行p型半导体材料的形成。同样,n型半导体材料可以通过添加V组元素来形成。本文讨论了P型半导体和N型半导体之间的差异。
什么是p型半导体和n型半导体?
下面讨论p型和n型及其差异的定义。
一旦将三价杂质原子如铟,镓添加到本征半导体中,可以定义p型半导体,然后称为p型半导体。在该半导体中,大多数电荷载体是孔,而少数电荷载体是电子的。孔的密度高于电子密度。接受级别主要位于价乐队。
一旦偏离杂质原子如Sb,就可以被添加到内在半导体中,可以定义n型半导体,然后称为n型半导体。在该半导体中,大多数电荷载波是电子,而少数电荷载流子是孔。电子密度高于孔的密度。捐赠水平主要位于导电带较近。
p型半导体和n型半导体之间的差异
p型半导体和n型半导体之间的差异主要包括不同因素即诸多少数群体,掺杂元素,掺杂元件的性质,电荷载流子密度,费米水平,能量水平,大多数电荷载体的移动方向等的电荷载体等。这两个之间的差异在表格中列出了这两个的差异表格下面。
P型半导体 | n型半导体 |
p型半导体可以通过添加三价杂质形成 | 通过添加五价杂质,可以形成n型半导体 |
一旦添加了杂质,那么它会产生电子的孔或空位。所以这被称为受体原子。 | 一旦添加杂质,那么它就会提供额外的电子。所以这被称为捐助原子。 |
III组元素是GA,AL,IN等 | V组元素如图,p,bi,sb等。 |
大多数电荷载体是孔和少数竞争载体是电子的 | 多数电荷载体是电子和少数竞争载体是孔 |
P型半导体的费米水平主要位于受体和价带的能级。 | N型半导体的费米水平主要位于供体和传导带的能级。 |
孔的密度远高于电子的密度(NH >> NE) | 电子的密度远高于孔的密度(ne >> nh) |
多数电荷载体的浓度更多 | 多数电荷载体的浓度更多 |
在p型中,受体的能级靠近价带和传导带中的不存在。 | 在n型中,供体的能级靠近导管带和从价带中不存在。 |
大多数费用载体的运动将从高潜力到低位。 | 大多数费用载体的运动将从低潜力到高。 |
当孔的浓度高时,然后该半导体携带+ ve充电。 | 该半导体优选地承载型电荷。 |
该半导体孔的形成称为受体 | 该半导体中电子的形成称为受体 |
p型的电导率是因为存在多重电荷载体,如孔 | n型的电导率是因为存在多重电荷载体,如电子。 |
常见问题解答
1)。p型中使用的三价元素是什么?
他们是Ga,Al等
2)。n型中使用的五价元素是什么?
它们是,p,bi,sb
3)。p型孔的密度是多少?
孔密度高于电子密度(NH >> NE)
4)。n型中电子的密度是多少?
电子密度高于孔密度(NE >> NH)
5)。半导体类型是什么?
它们是内在和外部半导体
6)。外部半导体的类型是什么?
它们是p型半导体和n型半导体。
因此,这是关于p型半导体和n型的主要区别半导体。在n型中,大多数电荷载波具有-ve充电,因此它被命名为n型。类似地,在p型中,可以在电子缺失中形成+ ve充电的结果,因此它被命名为p型。这两个半导体的掺杂之间的材料异化是在整个沉积的半导体层中的电子的流动方向。半导体都是电力的好导体。这是一个问题为您,多数电荷载流子在p型和n型中的运动是什么?