如何构建和操作单结晶体管（UJT）

单结晶体管简介

单结晶体管也称为双基二极管，因为它是2层，3端固态开关装置。它只有一个接合量，所以它被称为单轴装置。该设备的独特特征是使得当触发时，发射极电流增加，直到它受发射器电源的限制。由于其成本低，可用于各种应用，包括振荡器，脉冲发生器和触发电路等。它是低功耗吸收装置，可以在正常情况下操作。

有3种Uni结晶体管

1. 原始单结晶体管
2. 免费单结晶体管
3. 可编程单结晶体管（PUT）

1.原始单结晶体管或者UJT是一种简单的装置，其中N型半导体材料的一条杆漫射到其中扩散到其中;在其长度定义设备参数的某个位置为内在的支架。2n2646是最常用的UJT版本。UJT在开关电路中非常受欢迎，并且永远不会用作放大器。就UJT的应用而言，他们可以用作放松振荡器SCR和TRIACS的相位控制，定时电路和触发装置。

2.免费单结晶体管或者CUJT是p型半导体材料的一级，n型材料沿其长度在某处扩散到其中，将器件参数定义为固有的支架。2N6114是CUJT的一个版本。

3.可编程单结晶体管或者放置晶闸管的紧密相对;就像晶闸管一样，它由四个P-N层组成，并在第一层和最后一层放置阳极和阴极。阳极附近的n型层称为阳极栅极。它在生产中廉价。

在这篇三个晶体管中，本文讨论了UJT晶体管的工作特征及其构建简介。

建造UJT

UJT是三端，单交界，双层设备，它类似于与晶体管进行比较的晶闸管。它具有高阻抗的偏离状态和低阻抗与晶闸管相似。从OFF状态到ON状态，切换是由电导率调制引起的，而不是双极晶体管动作引起的。

硅棒具有指定为底座1和基部2的两个欧姆触点，如图2所示。基座和发射器的功能与双极晶体管的基础和发射极不同。

发射器是p型，它是严重掺杂的。B1和B2之间的电阻在开放式循环时被称为基间电阻。发射极结通常位于底座B2的靠近基座B2。因此，设备不对称，因为对称单元不为大多数应用提供电气特性。

图2中示出了单结晶体管的符号。当设备正向偏置时，它处于活动状态或处于导通状态。发射器以一定角度绘制到垂直线，该垂直线表示n型材料板和箭头沿常规电流方向的点。

一个UJT的操作

该晶体管操作通过使发射极电源电压为零而开始，并且其发射极二极管与固有脱扣电压反向偏置。如果VB是发射极二极管的电压，则总反向偏置电压为VA + VB =ƞVBB + VB。对于硅VB = 0.7 V，如果VE慢慢增加到VE =ƞVBB的点，则IE将减少到零。因此，在二极管的每一侧，等电压不会导致电流通过它，既不反向偏压也不在前偏压。

当发射极电源电压迅速增加时，二极管变为正向偏置并超过总反向偏置电压（ƞVBB+ VB）。该发射极电压值VE称为峰值电压，由VP表示。当VE = VP时，发射极电流IE流过RB1到地面，即B1。这是触发UJT所需的最小电流。这称为峰值发射极电流，并用IP表示。IP与基础电压VBB相反成比例。

现在，当发射极二极管开始导通时，将电荷载流子注入杆的RB区域。由于半导体材料的电阻取决于掺杂，由于额外的电荷载体，Rb的电阻降低。

然后，RB上的电压降减少，随着发射极二极管严重偏置，电阻降低。这反过来导致较大的正向电流，并且由于注入载体的载流子，并且它将导致RB区域的电阻降低。因此，发射极电流越来越大，直到发射极电源有限。

VA随着发射极电流的增加而降低，UJT具有负电阻特性。基座2用于在其上施加外部电压VBB。终端E和B1是有源终端。UJT通常通过将正脉冲应用于发射器来触发，并且可以通过应用负触发脉冲来关闭它。

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