什么是米勒效应:米勒电容效应

我们知道在所有的电和电子电路，电容器具有独特的重要性。这样的效果电容器可以通过频率响应来分析。这意味着用频率响应可以很容易地分析低、高频电容及其电抗的影响。这里我们讨论的是一个重要的术语，叫做放大器中的米勒效应，以及米勒电容的定义和作用。

什么是米勒效应?

米勒效应的名字取自约翰·米尔顿·米勒的作品。利用米勒定理，可以通过在电路的输入端和输出端之间设置额外的阻抗来增加反相电压放大器的等效电路的电容。米勒定理指出电路具有一个阻抗(Z)，连接两个电压等级为V1和V2的节点。

当这个阻抗被两个不同的阻抗值代替，并连接到相同的输入和输出端到地，以分析放大器的频率响应，并增加输入电容。这种效应称为米勒效应。这种效应只发生在反相放大器。

米勒电容效应

这种效应保护了等效电路的电容。在较高的频率下，由于处理反相电压放大器是一个复杂的过程，电路增益可以通过米勒电容来控制或降低。

如果有一些电容之间的输入和输出的反相电压放大器，那么它将出现乘以放大器的增益。额外的电容量将由于这一效应，因此它被称为米勒电容。

下图是理想的反相电压放大器，Vin为输入电压，Vo为输出电压，Z为阻抗，增益用-Av表示。和输出电压签证官= av。6

在这里，理想的反相电压放大器吸引零电流，所有电流流过阻抗Z。

然后,当前我= Vi-Vo / Z

我第六= (1 + Av) / Z

输入阻抗寻= Vi / 2 = Z / 1 + Av。

如果Z代表有阻抗的电容器，则Z = 1 / sC。

因此输入阻抗寻= 1 / sCm

在这里Cm = C (1+Av)

Cm-miller电容。

IGBT中的米勒效应

在绝缘栅双极晶体管，这种效应会发生，因为它的结构。在下面的IGBT等效电路中，两个电容串联在一起。

第一电容值是固定的，第二电容值依赖于漂移区域的宽度&集电极-发射极电压。所以，Vce的任何变化都会导致通过米勒电容产生位移电流。公共基础&常见的收集器放大器都感觉不到磨坊主的影响。因为在这些放大器中，电容(Cu)的一侧与地相连。这有助于把它从磨坊的影响中拿出来。

因此，这种效应主要是通过在电路的输入和输出节点之间设置阻抗来增加电路电容。然后附加电容作为米勒电容。米勒定理适用于所有三端器件。在FET中，栅极-漏极电容也可以通过这种效应增加。但这在宽带电路中可能是个问题。随着电容的增加，带宽就会减小。在窄带电路中，米勒效应是少了一点。这需要通过一些修改来改进。