RAM记忆组织及其类型的内存

存储器是用于存储用于控制的信息的微控制器或CPU的重要组成部分bob体育棋牌。内部，内存已被分为几个部分，包括特殊类型的寄存器，这些寄存器有助于存储数据。有两种类型的存储器，如RAM存储器和ROM内存，许多两个以类似的方式可用。在这里，我们将讨论8051及其寄存器的RAM内存组织。这些信息对此有所帮助嵌入式系统设计ers轻松地编写程序。

8051微控制器的RAM内存组织：

8051微控制器有256个字节的RAM内存，其分为两种方式，例如128字节特殊功能寄存器（SFR）和通用记忆的128个字节。RAM内存组织包含一组通用登记册用于将信息存储使用固定内存地址寄存器，SFR存储器包含所有外围相关寄存器，如“B”寄存器，累加器，计数器或定时器和中断相关寄存器。

RAM记忆组织：

RAM存储器中的一组存储位置称为RAM存储器组织，可以由PSW寄存器值控制。8051微控制器RAM内存内部分为一组存储位置，例如银行，位可寻址区域和刮板区域。

银行：

该银行包含各种通用寄存器，如R0-R7，所有此类寄存器都是字节可寻址的寄存器，其存储或删除仅1字节的数据。银行分为四个不同的银行，如;

• 银行
• 银行1.
• 银行2.
• 银行3.

每个银行都包含8通用寄存器，并拥有自己的地址来分类存储的信息。可以使用PSW寄存器的值（i，e，rs1，Rs0）来选择这些。Bank1，Bank2，Bank3可以用作堆栈指针区域。每当堆栈内存组织已满时，划痕焊盘区域中的数据存储。堆栈指针的默认地址为07h。

位可寻址区域：

位可寻址区域由位寻址寄存器组成，可存储或删除仅1位数据。该区域总共有128个地址从00h到07FH，它表示数据存储位置。位可寻址区域接近寄存器库。它们由地址20h至2fh设计。位可寻址区域主要用于存储来自钻头变量申请计划，如设备输出状态，如LED或电机（开关）等。只需要位可寻址区域来存储此状态。如果我们考虑将此状态存储此状态的字节可寻址区域，则将浪费一些内存。

划痕垫区：

Scratch Pad区域由字节寻址寄存器组成，该寄存器存储或删除仅1位数据。它接近位可寻址区域形成。它形成为30h至7fh。划痕垫区域主要用于存储来自应用程序的字节变量，如打印设备输出状态，例如电机方向（前向和向后）等。每当堆栈指针区域填充时，数据将存储在划痕焊盘区域中。Scratch Pad区域包含80个字节的内存。

RAM记忆的类型：

RAM记忆分为两个记忆的类型如SRAM和DRAM内存。

SRAM（静态随机存取存储器）：

只要提供电源，静态随机存取存储器是一种RAM，其在其存储器中保留信息。静态RAM提供更快的数据访问权限，与DRAM相比更昂贵。SRAM不需要定期刷新。

在SRAM中，每个位存储在形成两个交叉耦合逆变器的四个晶体管中。两个额外的晶体管 - 类型提供在读写操作期间控制对存储单元的访问。通常，SRAM使用六个晶体管存储每个存储器位。这些存储单元具有两个稳定的状态，用于表示'0'和'1'。

DRAM（动态随机存取存储器）：

DRAM是一种RAM模块，可以存储单独的电容器内的每位数据。这是将数据存储在内存中的熟练方式，因为它需要更少的物理空间来存储数据。

DRAM可以通过特定的芯片尺寸持有更多的数据。DRAM中的电容需要不断充电以保持其充电，因此，DRAM需要更多的功率。

每个DRAM存储器芯片由存储位置或存储器单元组成。它由电容器和晶体管组成，该电容器和晶体管可以保持有源或非活动状态。每个DRAM单元被称为一点。

当DRAM单元处于活动状态时，电荷处于高状态。当DRAM单元是非活动状态时，电荷低于一定级别。

缓存内存orgonization：

缓存存储器是一种存储器类型，用于将常用数据从主存储器位置保持。缓存存储器靠近CPU放置。缓存存储器从00h开始到0FH。缓存内存相对较小，包括8K和16K，但它有效地工作。它是一个字节可寻址内存，它存储并仅删除1位数据。CPU需要指令时，从主存储器中填充的高速缓冲存储器。高速缓冲存储器主要用于将平均时间缩小到访问存储器。

SRAM＆DRAM优势和应用：

SRAM的优势：

• SRAM在片上存储器上提供了大量存储容量
• 通常SRAM具有非常低的延迟和高性能
• 与其他存储器相比，设计和界面非常容易

DRAM的优势：

• 存储容量非常高
• 它是一种低成本和高性能的设备。

本文简要介绍了有关8051微控制器，RAM存储器类型，银行寄存器和缓存内存组织的内存组织的简要信息。有关记忆组织和您的技术帮助的更多信息基于微控制器的项目，您可以通过在下面的评论部分发布您的评论来接近我们。