晶体管作为放大器 - 电路图，及其工作

晶体管是三个端子半导体器件，并且终端是E（发射器），B（基座）＆C（收集器）。晶体管可以在三个不同区域中工作，如有源区，截止区域和饱和区域。晶体管在在截止区域工作时关闭并在饱和区域工作时打开。晶体管在活动区域​​工作时作为放大器工作。a的主要功能晶体管作为放大器是为了增强输入信号而不变化。本文讨论晶体管如何用作放大器。

晶体管作为放大器

放大器电路可以定义为，用于放大信号的电路。放大器的输入是电压的电压，其中输出将是放大器输入信号。使用晶体管的放大器电路，否则称为晶体管作为晶体管放大器。这晶体管的应用放大器电路主要涉及音频，无线电，光纤通信等。bob的是什么网站

这晶体管配置分为三种类型，如CB（公共基础），CC（公共集电器）和CE（公共发射器）。但是常见的发射器配置通常在应用程序中使用音频放大器。由于在CB配置中，增益为<1，并且在CC配置中，增益几乎相当于1。

良好晶体管的参数主要包括不同的参数，即高增益，高压率，高带宽，高线性度，高效率，高I / P阻抗，以及高稳定性等。

晶体管作为放大器电路

晶体管可用作放大器通过提高信号的强度弱。在以下晶体管放大器电路的帮助下，可以了解晶体管电路如何用作放大器电路的想法。

在下面的电路中，输入信号可以在发射极基结中施加，并在收集电路中连接的RC负载的输出之间。

为了准确放大，始终记住输入在正向偏置中连接，而输出连接在反向偏置中。因此，除了信号之外，我们还在输入电路中应用DC电压（VEE），如上面的电路所示。

通常，输入电路包括低电阻;在输入的信号电压下会发生一些变化，这导致发射极电流内的显着变化。由于晶体管作用，发射极电流变化将在收集电路内引起相同的变化。

目前，通过RC的集电极电流的流量产生巨大的电压。因此，输入电路的施加的弱信号将以输出的集电极电路的放大形式出来。在该方法中，晶体管执行作为放大器。

公共发射器放大器电路图

在大多数电子电路，我们通常使用NPN晶体管称为NPN晶体管放大器电路的配置。让我们考虑一个分压器偏置电路，该电路通常称为单级晶体管放大器电路。

基本上，偏置布置可以用两个晶体管（如电位）构建分频器网络跨越电源。它将校正电压与其中间点提供给晶体管。这种偏差主要用于双极晶体管放大器电路设计。

在这种偏置中，晶体管将通过将基座偏置保持在恒定的稳定电压级上并允许精确的稳定性来降低电流放大效应因子'β'。VB（基极电压）可以用潜在的分隔线。

在上述电路中，整个电阻将等于两个的量电阻器像R1＆R2一样。两个电阻器结的产生电压电平将在电源电压下保持恒定的基极电压。

以下公式是简单的分压器规则，它用于测量参考电压。

vb =（vcc.r2）/（r1 + r2）

由于晶体管被激活，类似的电源电压也决定了最大的集电极电流，即饱和模式。

公共发射极电压增益

公共发射极电压增益相当于输入电压比内的变形例与放大器O / P电压内的变形例。考虑vin和vout作为ΔVB。＆δvl

在电阻条件下，电压的增益将相当于集电极内的信号电阻比朝向发射器内的信号电阻。

电压增益=VOUT / VIN =ΔVL/ΔVB= - RL / RE

通过使用上述等式，我们可以简单地确定公共发射极电路电压增益。我们知道双极晶体管包括微小的内部抵抗性内置于他们的发射器部分，这是'重新​​'。每当通过外部电阻串联连接内部发射极电阻时，下面给出定制的电压增益方程。

电压增益= - RL /（RE + RE）

低频发射极电路的整体阻力将相当于内部电阻和外部电阻的量相当于重新+ re。

对于该电路，高频以及低频处的电压增益包括以下内容。

高频的电压增益是= - RL / RE

低频的电压增益是=- RL /（RE + RE）

通过使用上述公式，可以计算放大器电路的电压增益。

因此，这一切都是关于晶体管作为放大器。从上述信息中，我们可以得出结论，晶体管只能在正确偏置时才像放大器一样执行。良好的晶体管有几个参数，包括高增益，高带宽，高压摆率，高线性度，高I / P阻抗，高效率和高稳定性等。这是一个问题，什么是3055晶体管放大器？