不同类型的晶体管配置- Elprocus

我们知道晶体管由三个终端组成即发射极，集电极和基极，它们用E, C和b表示，但是，在晶体管的应用中，我们需要四个端子，两个端子为输入，其余两个端子为输出。为了纠正这个问题，我们使用一个终端来执行i/p和o/p操作。利用这一概念，我们设计电路，它将提供所需的特性和这些配置称为晶体管配置。

晶体管配置的类型

三种不同类型的晶体管配置是

公共基晶体管配置
共发射极晶体管结构
共集电极晶体管结构

现在我们讨论了上述三个晶体管配置s与图表。

公共基晶体管配置（CB）

通用基极晶体管配置给出一个低i/p同时给出一个高o/p阻抗。当CB晶体管的电压很高时，电流的增益和功率的总增益与其他晶体管配置相比也很低。B型晶体管的主要特点是晶体管的i/p和o/p是同相的。下图显示CB晶体管的配置。在这种电路中，基极与i/p和o/p电路是相互的。

CB电路的当前增益以与CE概念相关的方法计算，它用α（α）表示。是集电极电流和发射极电流之间的关系。通过使用以下公式计算电流增益。

alpha是集电器电流（输出电流）与发射极电流（输入电流）的关系。alpha使用公式计算：

α=(∆Ic) /∆IE

例如，如果I / P电流（即）在公共基本电流中从2mA变为4mA并且O / P电流（IC）从2mA变为3.8 mA，则电流的增益将为0.90

CB电流电流增益小于1。当发射极电流流入基极而不作为集电极电流时。这个电流总是小于引起它的发射极电流。公用基础配置的增益总是小于1。下面的公式用于计算CE (α)的电流增益，当CB值给定为(β)时。

公共集电极晶体管配置（CC）

公共集电器晶体管配置也称为发射器跟随器，因为该晶体管的发射极电压遵循晶体管的基座端子。提供高I / P阻抗和低O / P阻抗通常用作缓冲器。该晶体管的电压增益是单位，电流增益高，O / P信号处于相位。下图显示了CC晶体管的配置。收集器终端与I / P和O / P电路相互相互相同。

CC电路的电流增益用(γ)表示，用下式计算。
这个增益与CB电流增益(β)有关，当b值由下面的公式给出时，CC电路的增益就计算出来了

当。。。的时候晶体管连接在CE，CB和CC等三种基本配置中的任何一种中，那么alpha，beta和伽马之间存在关系。下面给出了这些关系。

例如，公共基本值（α）的当前增益值为0.90，然后可以计算β值作为

因此，该晶体管的基极电流的变化将使电流器电流的变化变化，这将是大的九次。如果我们希望在CC中使用相同的晶体管，我们可以通过以下等式计算伽玛。

公共发射极晶体管配置（CE）

共发射极晶体管结构是应用最广泛的结构。CE晶体管电路给出一个中等的i/p和o/p阻抗水平。电压和电流的增益都可以定义为一种介质，但o/p与i/p相反，i/p的相位变化为1800。这提供了良好的性能，并且经常被认为是最常用的配置。下图显示了CE晶体管的配置。在这种电路中，发射极与i/p和o/p是相互的。