PN结二极管的PN结二极管理论与VI特征

P-N结二极管在1950年代出现。它是电子设备最重要和最基本的基本构建块。PN结二极管是双端子装置，当PN结二极管的一侧用p型制造并掺杂有n型材料时，形成。PN结是半导体二极管的根。这各种电子元器件喜欢是,jfet,MOSFET（金属氧化物- 界面的FET.)，LED和模拟或数字集成电路所有支持半导体技术。半导体二极管的主要功能是，它促进电子完全在一个方向流过它。最后，它起整流器的作用。本文简要介绍了PN结二极管、PN结二极管的正向偏置和反向偏置以及PN结二极管的VI特性

什么是pn结二极管？

有三种可能的偏置条件和典型的两个操作区域PN-结二极管，它们是零偏置，正向偏差和反向偏置。

当在PN结二极管上施加电压时，电子将扩散到P侧，并且孔将通过结漫射到N侧通过结来延伸到N侧。因此，靠近N侧的P型和供体原子的受体原子保持未利用。这些电荷载波产生电子字段。这反对电荷载体的进一步扩散。因此，该区域的移动被称为耗尽区或空间电荷。

如果我们向PN结二极管施加向前偏压，则表示负端子连接到n型材料，正端子连接到二极管的p型材料，这具有降低宽度的效果PN结二极管。

如果我们应用PN结二极管的反向偏压,这意味着正极连接到n型材料,负极连接到的p型材料在二极管的影响提高PN结二极管的宽度和免费结可以流动

零偏压PN结二极管

在零偏置结中，可能为P端和N端上的空穴提供更高的势能。当结型二极管的端部短路时，p侧的多数载流子很少，但有足够的能量克服势垒穿过耗尽区。因此，在多数载流子的帮助下，电流开始在二极管内流动，记为正向电流。同样，n侧的少数载流子沿相反方向穿过耗尽区，称为反向电流。

势垒阻止电子和空穴穿过结，允许少数载流子漂移穿过PN结。而p型和n型的少数载流子在势垒的作用下漂移过pn结，当多数载流子相等且都反向运动时，就会达到平衡，最终使电路中流动的电流为零。我们说这个结处于动态平衡状态。

当半导体温度升高时，少数载流子不断产生，泄漏电流开始上升。但是，电流不能流动，因为没有外部源已经连接到pn结。

PN结二极管在转发偏压

当一个PN-ANNICTIO二极管以正向偏置连接通过对p型材料施加正电压，对n型端子施加负电压。如果外部电压超过势垒值(Si估计为0.7 V, Ge估计为0.3V，势垒的阻力将被克服，电流将开始流动。因为负电压排斥结附近的电子，通过给它们能量来结合和穿过被正电压朝相反方向推到结的空穴。

这一结果在一个特征曲线上的零电流流动到内置电位被称为“膝电流”在静态曲线上&然后一个大电流流过二极管与外部电压轻微增加如下所示。

PN结二极管转发偏置的VI特性

在转发偏压中PN结二极管的VI特性是非线性的，即不是直线。该非线性特性示出了在N结的操作期间，电阻不是恒定的。PN结二极管在转发偏置方面的斜率表示电阻非常低。当向二极管施加正向偏压时，它会导致低阻抗路径，并且允许传导大量的电流，该电流称为无限电流。该电流开始以少量外部电位在膝盖点上方流动。

通过耗尽层作用保持PN结的电位差异。要进行的最大电流量的电流量被负载电阻保持不完整，因为当PN结二极管比二极管的正常规格进行更多的电流时，额外的电流导致散热并导致对设备的损坏。

反向偏压PN结二极管

当PN结二极管以反向偏置条件连接时，正（+ VE）电压连接到N型材料，并且负（-VE）电压连接到p型材料。

当+ VE电压施加到N型材料时，它吸引正电极附近的电子，并且远离结，而p型端的孔也被吸引远离负极附近的接合部。

在这种类型的偏置中，通过PN结二极管的电流流为零。然而，由于少数群电压载体引起的电流泄漏在二极管中流动，这些二极管可以在UA（Microamperes）中测量。由于对PN结二极管的反向偏压的电位最终增加并且导致PN结逆电压击穿，并且PN结二极管的电流由外部电路控制。反向击穿取决于P＆N区域的掺杂水平。此外，随着反向偏置的增加，由于在PN结二极管中的电路中的过热和最大电路电流流动，二极管将变得短路。

逆偏压PN结二极管的VI特征

在这种类型的偏压中，二极管的特征曲线示于下图的第四象限中。该偏置中的电流低至达到击穿，因此二极管看起来像一个开路。当反向偏置的输入电压达到击穿电压时，反向电流变得极大地增加。

因此，这是关于PN结二极管的零偏置，正向偏置和反向偏置条件和PN结二极管的VI特性。我们希望您对这一概念更好地了解。此外，关于本文的任何疑问，或bob体育棋牌请通过评论以下评论部分提供您的反馈意见。这是对您的问题，光电校对的二极管？

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