不同类型的场效应晶体管（FET）和工作原理

场效应晶体管或FET是晶体管，其中输出电流由电场控制。FET有时称为单极晶体管，因为它涉及单载机型操作。FET晶体管的基本类型与BJT完全不同晶体管基础知识。FET是三末端半导体器件，具有源极，漏极和栅极端子。

电荷是电子或孔，其从源流过有源通道。通过施加栅极和源极端子施加的电压来控制来自源极到漏极的电子流。

FET晶体管的类型

FET具有两种类型的JFET或MOSFET。

结拳

结FET晶体管是一种场效应晶体管，可用作电控开关。这电能流过源之间的活动通道以排出终端。通过施加反向栅极终端的偏置电压，沟道被应变，因此电流完全关闭。

结FET晶体管有两个极性可用;

N-通道JFET.

n通道JFET由两个p型层掺杂的侧面的N型杆组成。电子通道构成器件的N通道。在N沟道装置的两端进行两个欧姆触点，其连接在一起以形成栅极端子。

源极和漏极端子取自杆的其他两侧。源极和漏极端子之间的电位差异被称为VDD，并且源极和门终端之间的电位差被称为VGS。电荷流动是由于来自源极的电子流动流失。

无论何时跨越漏极和源极端子施加正电压，电子从源极的流向排出'D'端子，而传统的漏极电流ID流过排水管。当电流流过设备时，它处于一个状态。

当将负极性电压施加到栅极终端时，在信道中创建耗尽区域。沟道宽度降低，因此增加源极和漏极之间的信道电阻。由于栅极源结是反向偏置的并且在设备中没有电流流动，因此它处于关闭状态。

因此，基本上如果在栅极端子处施加的电压增加，则较少量的电流将从源流到漏极。

N通道JFET具有比P通道JFET更大的电导率。因此，与P通道JFET相比，N通道JFET是一个更有效的导体。

P频道JFET

P沟道JFET由P型栏组成，在掺杂N型层的两侧。通过在两侧连接欧姆触点来形成栅极端子。类似于N通道JFET，源极和漏极端子从杆的其他两侧取出。由孔作为电荷载体组成的p型通道，在源极和漏极端子之间形成。

施加到漏极和源极端子的负电压确保从源极到漏极端子的电流流动，并且该装置在欧姆区域进行操作。施加到栅极端子的正电压确保了通道宽度的降低，从而增加了沟道电阻。更积极的是栅极电压;少于流过设备的电流。

P通道结FET晶体管的特点

下面给出的是P信道结场效应晶体管的特征曲线和晶体管的不同操作模式。

截止地区：当施加到栅极终端的电压对于通道足够阳性时宽度最小，没有电流流动。这使得设备在切断区域中。

欧姆地区：流过设备的电流与施加的电压线性成比例，直到达到击穿电压直到达到击穿电压。在该区域中，晶体管显示出对电流流动的一些抗性。

饱和区域：当漏极源电压达到一个值，使得流过装置的电流与漏源电压恒定并且仅随栅极源电压而变化，则据说该装置在饱和区域中。

分解区域：当漏极源电压达到导致耗尽区域分解的值时，导致漏极电流突然增加，据说该器件处于击穿区域。当栅极源电压更积极时，在漏极源电压的较低值之前达到该击穿区域。

MOSFET晶体管

MOSFET晶体管作为其名称表明是一种p型（n型）半导体条（具有两个重掺杂的n型区域，其扩散到其中），金属氧化物层沉积在其表面和从层中取出以形成源的孔和排水端子。将金属层沉积在氧化物层上以形成栅极端子。现场效果晶体管的基本应用之一是使用aMOSFET作为开关。

这种类型的FET晶体管具有三个端子，其是源极，漏极和栅极。施加到栅极端子的电压控制来自源极的电流流动以漏极漏极。金属氧化物绝缘层的存在导致具有高输入阻抗的装置。

基于操作模式的MOSFET晶体管类型

MOSFET晶体管是最常用的场效应晶体管。MOSFET操作以两种模式实现，基于哪种模式，根据该模式，根据该模式进行了分类。增强模式中的MOSFET操作包括逐渐形成的通道，而在耗尽模式MOSFET中，它由已经扩散的通道组成。MOSFET的高级应用是CMOS.。

增强MOSFET晶体管

当将负电压施加到MOSFET的栅极端子时，正电荷承载载体或孔累积地累积较近氧化物层。通道由源极到漏极端子形成。

随着电压使电压更负，沟道宽度增加并且电流从源流到漏极端子。因此，随着具有施加栅极电压的电流“增强”的流动，该装置称为增强型MOSFET。

耗尽模式MOSFET晶体管

耗尽模式MOSFET包括在漏极到源极端子之间的扩散的通道组成。在没有任何栅极电压的情况下，由于通道，电流从源流到漏极。

当该栅极电压进行负时，在通道中累积正电荷。
这导致通道中的耗尽区域或固定电荷的区域，并且阻碍了电流的流动。因此，随着电流的流动受到耗尽区域的形成影响，该装置称为耗尽模式MOSFET。

应用涉及MOSFET作为开关的应用

控制BLDC电机的速度

MOSFET可用作操作DC电机的开关。这里使用晶体管来触发MOSFET。来自微控制器的PWM信号用于打开或关闭晶体管。

来自微控制器引脚的逻辑低信号导致光电耦合器操作，在其输出处产生高逻辑信号。PNP晶体管被切断并相应地切断MOSFET触发并接通。漏极和源极端子被短路，并且电流流到电动机绕组，使得它开始旋转。PWM信号确保电机的速度控制。

驾驶一系列LED：

MOSFET操作作为交换机涉及控制LED阵列的强度。这里，由来自外部源的信号驱动的晶体管用于驱动MOSFET。当晶体管关闭时，MOSFET获得电源并接通，从而为LED阵列提供适当的偏置。

使用MOSFET开关灯：

MOSFET可用作开关以控制灯的开关。此外，还使用晶体管开关触发MOSFET。来自像微控制器的外部源的PWM信号用于控制晶体管的导通，并因此开启或关闭MOSFET开关，从而控制灯的切换。

我们希望我们成功为读者提供了关于现场效应晶体管的主题的最佳知识。我们希望读者回答一个简单的问题 - FETS如何与BJTS不同，为什么它们比较使用。

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