什么是忆失？记忆器的类型及其应用

记忆的概念忆阻器理论由莱昂ong chua实施。他是加利福尼亚大学计算机科学和电气工程部门的教授。Memristor开关性能由HP实验室的科学家揭示，而他们试图发现横杆交换机。存储器也称为矩阵开关，因为它主要用于连接若干输入以及以矩阵形式的输出。莱昂Chua教授曾观察过模型电容，电阻和电感。他观察到一个缺失的部分，叫做记忆电阻或记忆电阻。科学家斯坦利·威廉姆斯在2006年扩展了这种记忆电阻器的实际表现。这项技术在几十年前就被发现了，尽管它是最近才发明的。

记忆电阻器是什么?

我们知道每一个电子电路可以通过使用多个无源元件即电阻器，电容器以及电感器来设计，但是将存在一个主要的第四组成部分，称为忆阻器。这些都是使用半导体为了连接被动部件以形成第四个组件，并且阻力被命名为忆反应。它是一种抵抗取决于电荷忆阻器电路＆电阻单元是欧姆。

Memitristor的全形形式是存储器+电阻。所以这被称为第四个基本元素。Memitistor的主要特征是，它具有记忆其状态历史的能力。因此，提高了改进的重要性，这些非常重要的是强制为电子工程中现有的书籍重新制作。bob足球体育app

忆内施工

记忆电阻器的结构如下所示。它是一个两个终端组件和忆故者工作是，它的电阻主要取决于大小、施加电压和极性。由于电压不施加，然后电阻剩余，这使它作为一个非线性和存储组件。

以上显示的图是忆阻器结构。膜使用二氧化钛（TiO 2），如电阻材料。它优于其他类型的二氧化硅等其他材料。当在铂电极上给出电压时，TiO 2原子将基于较薄或更厚的电压极性右侧或留在材料中，因此在电阻中产生变换。

类型的忆阻器

根据设计，忆阻器被分为许多类型，下面将讨论这些类型的概述。

• 分子与离子薄膜膜椎间盘
• 自旋和磁忆阻器

分子和离子薄膜忆阻器

这些类型的椎间体经常依赖于表现出滞后的轻微薄膜原子网络的材料的不同性质降低了电荷施加。这些存储器分为四种类型，包括以下内容。

二氧化钛

发现这种类型的忆阻器通常是为了规划和建模

聚合物/离子

这些类型的忆阻器使用聚合物型材料或活性掺杂的惰性模电材料。固态离子载流子将在记忆电阻器的整个结构中流动。

共振隧穿二极管

这些忆阻器在源极和漏极区域之间特别采用了击穿层的掺杂量子匹配二极管。

锰铁

这种类型的椎间体使用双层氧化膜基板，取决于锰铁与TiO2 - 忆晶相反。

旋转和基于磁性的忆失

这些类型的记忆电阻器与基于分子和离子的纳米结构系统相反。这些记忆电阻器将取决于电子自旋性质的程度。在这种系统中，电子自旋分裂是响应性的。这些可以分为两类。

闪光灯

在这种类型的函函数中，自旋电子方式将改变相应地改变其电阻的装置的磁化状态。

旋转扭矩传递

在这种类型的映射器中，电极相对磁化位置将影响隧道结磁状态，其旋转改变了电阻。

记忆体优势和缺点

忆耳的优点主要包括以下内容。

• 回忆镜非常舒适地与界面互补金属氧化物半导体，并且，当它们不活动时，它们不会使用电源。
• 它消耗更少的能量，产生更少的热量。
• 它有很高的存储和速度。
• 它具有记忆一段时间内电荷流动的能力。
• 当数据中心的电源中断时，它可以提供更好的弹性和可靠性。
• 更快的启动
• 能够恢复两个硬盘以及DRAM

忆耳的缺点主要包括以下内容。

• 这些在商业上是没有的
• 现有版本的速度仅为DRAM的1/10
• 它有学习的能力，但也可以研究开放中的错误模式。
• 记忆电阻的性能和速度将不匹配晶体管和DRAM
• 由于PC上的所有信息都变成非易失性的，所以重启不会解决任何问题，因为它频繁的时间可以与DRAM。

忆阻器的应用

• 这是一个两个终端和可变电阻组件，用于以下应用中使用。
• 存储器用于数字存储器，逻辑电路，生物和神经形态系统。
• 记忆电阻器用于计算机技术和数字存储器
• 存储器用于神经网络以及模拟电子产品。bob足球体育app
• 这些适用于模拟滤波器应用
• 遥感和低功耗应用。
• 记忆电阻器用于可编程逻辑和信号处理
• 他们有自己的能力，以一种简单和高效的方法存储模拟和数字数据。

因此，在将来，这些可以应用于在其位置的含义中进行数字逻辑与非门。虽然有一些忆反应器已经设计，但仍然有一些更完美。因此，这一切都是关于忆故者及其类型。从上述信息最后，我们可以得出结论，忆阻可以用来存储数据，因为它的电阻水平变化时，电流的应用。一个正常的电阻器提供恒定的抵抗水平。但是存储器在高级中具有电阻，这可以被理解为PC作为数据项中的一个，以及低级，可以理解为零。因此，可以使用当前控制重写信息。这是一个问题的问题，Memristor的主要功能是什么？